突破壁垒 Micron与Nanya共同研发50nm DRAM

　　近日，Micron宣布将与Nanya共同开发50nm或以下的DRAM技术，并计画在往后数个月间针对此合作计画签订合约，此一合作案所象征的意义，将是DRAM技术发展两大阵营堆栈式(Stack)与沟槽式(Trench)的不再分明，而两者的市占率也将随着阵营间的交互合作进而呈现变化。

DRAM

　　2008年2月25日全球第二大Qimonda公开宣布技术开发蓝图，除了采用新的BuriedWordline技术及今年进行58nm转进，更进一步指出2009年下半将转进46nm，而其技术更可往30nm及4F2迈进。在Qimonda发表新技术开发蓝图之际，恰巧在Micron与的技术合作开发备忘录公布的前一周，也让市场推测奇梦达的宣示是否隐藏着更深层的意义。

　　市调机构DRAMeXchange所公布的2007年营收排行，Nanya与Micron阵营的市占率，与目前南亚与奇梦达的阵营比例并无显著的差别，然而未来在堆垒式与沟槽式阵营的合作模式出现之后，随着此合作的发展，相信其市占率的比率也将会呈现变化。

　　在2006年沟槽式阵营的市占率最高达23%，2007年在所有DRAM厂竞相扩厂下，滑落至18%左右;而未来若新的合作模式出现，以及堆垒式阵营相互的竞争，沟槽式阵营的市占率有进一步下滑的隐忧。

　　目前DRAM产业仍区分为沟槽式及堆栈式两大阵营SamsungElectronics、Hynix、Micron、PoMOS、PSC等，均还是延用堆栈式技术，其余如Qimonda、Nanya与Winbond电则为沟槽式。