英文术语完全介绍——RAM & ROM篇

ABB（Advanced Boot Block，高级启动块）
ABP Address Bit Permuting，地址位序列改变
ADT（Advanced DRAM Technology，先进DRAM技术联盟）
AL（Additive Latency，附加反应时间）
ALDC（Adaptive Lossless Data Compression，适应无损数据压缩）
APM（Automated Precision Manufacturing，自动化精确生产）
ATC（Access Time from Clock，时钟存取时间）
ATP（Active to Precharge，激活到预充电）
BEDO（Burst Enhanced Data-Out RAM，突发型数据增强输出内存）
BPA（Bit Packing Architecture，位封包架构）
AFC media（antiferromagnetically coupled media，反铁磁性耦合介质）
BLP（Bottom Leaded Package，底部导向封装）
BSRAM（Burst pipelined synchronous static RAM，突发式管道同步静态存储器）
CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）
CCT（Clock Cycle Time，时钟周期）
CDRAM（Cache DRAM，附加缓存型DRAM）
CL（CAS Latency，CAS反应时间）
CMR（Colossal Magnetoresistive，巨磁阻抗）
CPA（Close Page Autoprecharge，接近页自动预充电）
CSP（Chip Size Package，芯片尺寸封装）
CTR（CAS to RAS，列地址到行地址延迟时间）
DB Deep Buffer（深度缓冲）
DD（Double Side，双面内存）
DDBGA（Die Dimension Ball Grid Array，内核密度球状矩阵排列）
DDR（Double Date Rate，上下行双数据率）
DDR SDRAM（Double Date Rate，上下行双数据率SDRAM）
DRCG（Direct Rambus Clock Generator，直接RAMBUS时钟发生器）
DIL（dual-in-line）
DIVA（Data IntensiVe Architecture，数据加强架构）
DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）
DLL（Delay－Locked Loop，延时锁定循环电路）
DQS（Bidirectional data strobe，双向数据滤波）
DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存储器）
DRDRAM（Direct RAMBUS DRAM，直接内存总线DRAM）
DRSL（Direct RAMBUS Signaling Level，直接RAMBUS信号级）
DRSL（Differential Rambus Signaling Levels，微分RAMBUS信号级）
DSM（Distributed shared memory，分布式共享内存）
ECC（Error Checking and Correction，错误检查修正）
ED（Execution driven，执行驱动）
EDO（Enhanced Data-Out RAM，数据增强输出内存）
EHSDRAM（Enhanced High Speed DRAM，增强型超高速内存）
EL DDR（Enhanced Latency DDR，增强反应周期DDR内存）
EMS（Enhanced Memory System，增强内存系统）
EMS（Expanded Memory Specification，扩充内存规格）
EOL（End of Life，最终完成产品）
EPROM（erasable, programmable ROM，可擦写可编程ROM）
EPOC（Elevated Package Over CSP，CSP架空封装）
EPV（Extended Voltage Proteciton，扩展电压保护）
ESDRAM（Enhanced SDRAM，增强型SDRAM）
ESRAM（Enhanced SRAM，增强型SRAM）
EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电擦写可编程只读存储器）
FCRAM（Fast Cycle RAM，快周期随机存储器）
FEMMA（Foldable Electronic Memory Module Assembly，折叠电子内存模块装配）
FM（Flash Memory，快闪存储器）
FMD ROM （Fluorescent Material Read Only Memory，荧光质只读存储器）
FPM（Fast Page Mode，快页模式内存）
HDSS（ Holographic Data Storage System，全息数据存储系统）
HMC（holographic media card，全息媒体卡）
HMD（holographic media disk，全息媒体磁盘）
HSDRAM（High Speed DRAM，超高速内存）
LRU（least recently used，最少最近使用）
MADP（Memory Address Data Path，内存地址数据路径）
MDRAM（Multi Bank Random Access Memory，多储蓄库随机存储器）
MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁性随机存取存储器）
ns（nanosecond，纳秒，毫微秒，10亿分之一秒）
NVRAM（Non-Volatile RAM，非可变性RAM）
NWX（no write transfer，非写转换）
ODR（Octal Data Rate，八倍数据率）
ODT（on-die termination，片内终结器）
OP（Open Page，开放页）
PIROM：Processor Information ROM，处理器信息ROM
PLEDM Phase-state Low Electron（hole）-number Drive Memory
PLL（Phase Lock Loop，相位锁定环）
PRISM（Photorefractive Information Storage Material，摄影折射信息存储原料）
PROM（Programmable Read Only Memory，可编程只读存储器）
PTA（Precharge to Active，预充电到激活）
QBM（Quad Band Memory，四倍边带内存）
QRSL（Quad Rambus Signaling Levels，四倍RAMBUS信号级）
RAC（Rambus Asic Cell，Rambus集成电路单元）
RAC（Row Access Time，行存取时间）
RAM（Random Access Memory，随机存储器）
RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）
RAT（Precharge to Active Trp，预充电到激活时间）
RCD（Row to Cas Delay，行地址到列地址控制器延迟时间）
RDF（Rambus Developer Forum，RAMBUS发展商论坛）
RDRAM（Rambus Direct RAM，直接型RambusRAM）
RIMM（RAMBUS In-line Memory Modules，RAMBUS内嵌式内存模块）
ROM（read-only memory，只读存储器）
RRAM（Resistance RAM，非挥发性阻抗存储器）
RP（RAS Pre-charge Times，行地址预充电时间）
RL（Read Latency，读取反应时间）
SCP（CHIP SCALE PACKGE，芯片比例封装）
SD（Single Side，单面内存）
SDRAM（Synchronous Dynamic RAM，同步动态内存）
SDR（Single Date Rate，单数据率）
SDR SDRAM（Single Date Rate，单数据率SDRAM）
SGRAM（synchronous graphics RAM，同步图形随机储存器）
SIMM（Single Inline Memory Module，单边直线内存模块）
SLM（Spatial Light Modulator，空间光线调节器）
SM（Smart Media，智能存储卡）
SMRAM（System Management RAM，系统管理内存）
SODIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules，小型双重内嵌式内存模块）
SPD（Serial Presence Detect，串行存在检查）
SRAM（Static Random Access Memory，静态随机存储器）
SRAM（single-transistor DRAM，单晶体管DRAM）
SSFDC（Solid State Floppy Disk Card，固态软盘卡，通常指Smart Media）
SSTL（Stub Series Terminated Logic，残余连续终结逻辑电路）
TCP（Tape Carrier Packaging，带载封装）
TCSR（temperature compensated self refresh，温度补偿自刷新）
TD（Trace driven，追踪驱动）
TOM（Top of main memory，主内存顶端）
TSOPs（thin small outline packages，小型薄型封装）
UMA（Upper Memory Area，上部内存区）
ULVS（ultra low voltage signal，超低电压信号）
USWV（Uncacheable, Speculative, Write-Combining非缓冲随机混合写入）
VCRAM（Virtual Channel Memory，虚拟通道内存）
VCMA（Virtual Channel Memory architecture，虚拟通道内存结构）
VCSDRAM（Virtual Channel SDRAM，虚拟通道内存）
VM（Virtual Memory，虚拟存储器）
VR（Virtual Register，虚拟寄存器）
WBGA（Windows-BGA，WBGA的面积尺寸为传统TSOP封装的36.52%，重量为传统TSOP的23.37%，整个WBGA的面积与内核的比例为128%，也就是说，封装的面积仅比管芯大28%。
WL（Write Latency，写反应时间）
WORM（write-onceread many，写一次读多次介质）
XDR（eXtreme Data Rate，极速数据率）
XMS（Extended Memory，扩展内存）